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国际快速热处理技术的发展非常迅速，现在不仅直径200～300毫米硅片工艺线已离不开快速热处理技术，而且还开发了快速加热锗硅外延系统。由于锗硅/硅异质结薄膜材料是新一代的硅基材料，该材料制作的高性能异质结晶体管可替代移动通讯领域GaAs微波功率器件，具有广阔的应用前景。
随着ULSI特征线宽的减少，用快速退火炉替代传统扩散炉工艺是必然趋势，快速热处理设备具有至少十多年的技术寿命。因此，应该靠我们自己的力量，将这一具有自主知识产权的攻关成果产业化，开发成产品，与国外灯光型设备竞争。
对于发展300毫米硅片快速退火技术，RHT设备加热腔结构所固有的温度均匀性显示出其独特的优越性。国家经贸委提出了实现该装备国产化的政策，上海和北京都已规划要新建多条超大规模集成电路生产线，这给锗硅外延炉、半导体快速热处理设备创造了很大的国内市场。我们要抓住机遇，通过市场机制，引入风险投资，开发新的RHT设备，争创民族品牌，使RHT技术与设备不仅占领国内市场，而且出口到国际市场，为国家争光，为民族争气。
在国家自然科学基金和重点科技攻关计划的资助下，科研人员又利用RHT技术开发成功“红外快速加热高真空锗硅化学气相外延系统”。该系统在总体结构设计上采用内外腔、石英方腔生长室及石墨加热器，在国际上属独创，达到世界先进水平。03年1月21日，这一成果通过了教育部主持的技术鉴定。