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随着ULSI特征线宽的减少，用快速退火炉替代传统扩散炉工艺是必然趋势，无锡热处理设备具有至少十多年的技术寿命。因此，应该靠我们自己的力量，将这一具有自主知识产权的攻关成果产业化，开发成产品，与国外灯光型设备竞争。
早在“六五”期间，某位教授在德国取得优异成绩回国后，就将“离子注入退火”列入了“六五”国家科技攻关的子课题。在当时微电子所所长的支持下，该教授带领一批骨干，从无到有建立了一套有别于传统思路的采用射频感应加热石墨板作为红外辐射热源的快速退火实验装置。经过反复实验研究、分析测试，获得了满意的预期效果。在此基础上，发明了RHT系列半导体红外快速无锡热处理设备技术和设备，采用射频感应扁平石墨方腔作为平面辐射热源，快速加热其间的半导体片。
鉴于这项技术在温度均匀性、快速加热稳定性、可靠性、可重复性等方面，都优于国外当时流行的灯管式条形光源退火炉，因此申请了发明专利，进行了小批量3英寸硅片手动快速退火炉的生产。
为了开发成自动化的无锡热处理设备，这项技术又列入“七五”国家科技攻关“光退火设备”项目。在90年代初开发出第一台全自动4英寸硅片无锡热处理设备，通过了电子部和国家教委主持的产品设计定型鉴定及专家验收。此后，又进行了批量生产。在“八五”期间，它又被列入“国家科技成果重点推广计划项目”。
无锡热处理设备技术的发展非常迅速，现在不仅直径200～300毫米硅片工艺线已离不开热处理技术，而且还开发了快速加热锗硅外延系统。由于锗硅/硅异质结薄膜材料是新一代的硅基材料，该材料制作的高性能异质结晶体管可替代移动通讯领域GaAs微波功率器件，具有广阔的应用前景。