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早在“六五”期间，经过反复实验研究、分析测试，发明了热处理系列半导体红外快速热处理技术和设备，采用射频感应扁平石墨方腔作为平面辐射热源，快速加热其间的半导体片。
随着ULSI特征线宽的减少，用快速退火炉替代传统扩散炉工艺是必然趋势，快速热处理设备具有至少十多年的技术寿命。因此，应该靠我们自己的力量，将这一具有自主知识产权的攻关成果产业化，开发成产品，与国外灯光型设备竞争。为此，我校于1990年底与香港共同投资创办了北京华兴微电子有限公司，承担热处理设备的二次开发任务。
鉴于这项技术在温度均匀性、快速加热稳定性、可靠性、可重复性等方面，都优于国外当时流行的灯管式条形光源退火炉，因此申请了发明专利，进行了小批量3英寸硅片手动快速退火炉的生产。为了开发成自动化的快速热处理设备，这项技术又列入“七五”国家科技攻关“光退火设备”项目。在90年代初开发出第一台全自动4英寸硅片快速热处理设备，通过了电子部和国家教委主持的产品设计定型鉴定及专家验收。此后，又进行了批量生产。在“八五”期间，它又被列入“国家科技成果重点推广计划项目”。
对于发展300毫米硅片快速退火技术，热处理设备加热腔结构所固有的温度均匀性显示出其独特的优越性。国家经贸委提出了实现该装备国产化的政策，上海和北京都已规划要新建多条超大规模集成电路生产线，这给锗硅外延炉、半导体快速热处理设备创造了很大的国内市场。
国际快速热处理技术的发展非常迅速，现在不仅直径200～300毫米硅片工艺线已离不开快速热处理技术，而且还开发了快速加热锗硅外延系统。由于锗硅/硅异质结薄膜材料是新一代的硅基材料，该材料制作的高性能异质结晶体管可替代移动通讯领域GaAs微波功率器件，具有广阔的应用前景。